Подсистема памяти МПС

Распределение адресного пространства

Объем адресного пространства МПС с интерфейсом "Общая шина" определяется главным образом разрядностью шины адреса и, кроме того, номенклатурой управляющих сигналов интерфейса. Управляющие сигналы могут определять тип объекта, к которому производится обращение (ОЗУ, ВУ, стек, специализированные ПЗУ и др.). В случае, если МП не выдает сигналов, идентифицирующих пассивное устройство (или они не используются в МПС), - для селекции используются только адресные линии. Число адресуемых объектов составляет в этом случае 2k, где k - разрядность шины адреса. Будем называть такое адресное пространство "единым". Иногда говорят, что ВУ в едином адресном пространстве "отображены на память", т.е. адреса ВУ занимают адреса ячеек памяти. Пример организации селекции устройств в едином адресном пространстве МПС на базе i8080 и распределение адресного пространства показаны на Рис. 7.1 и Рис. 7.2 соответственно.

Рис. 7.1. Структура единого адресного пространства

Рис. 7.2. Пример распределения единого адресного пространства
При небольших объемах памяти в МПС целесообразно использовать некоторые адресные линии непосредственно в качестве селектирующих (Рис. 7.3), что позволяет уменьшить объем оборудования МПС за счет исключения селектора адреса. При этом, однако, адресное пространство используется крайне неэффективно.
При использовании информации о типе устройства, к которому идет обращение, можно одни и те же адреса назначать для разных устройств, осуществляя селекцию с помощью управляющих сигналов.
Так, большинство МП выдают в той или иной форме информацию о типе обращения. В результате в большинстве интерфейсов присутствуют отдельные управляющие линии для обращения к памяти и вводу/ выводу, реже - стеку или специализированному ПЗУ. В результате суммарный объем адресного пространства МПС может превышать величину 2k.

Рис. 7.3. Использование адресных линий для прямой селекции устройств

Диспетчер памяти

При необходимости расширить объем памяти за пределы адресного пространства можно воспользоваться т.н. "диспетчером памяти". В простейшем случае он представляет собой программно-доступный регистр, который должен располагаться в пространстве ввода/вывода. В него заносится номер активного в данный момент банка памяти, причем объем банка может равняться объему адресного пространства МП (2k).
Очевидно, в каждый момент времени процессору доступен только один банк. При необходимости перехода в другой банк памяти МП должен предварительно выполнить программную процедуру (часто всего одну команду) перезагрузки содержимого номера банка. Сказанное иллюстрируется Рис. 7.44. К развитию этой идеи можно отнести механизм сегментации памяти в 16- и 32-разрядных МП фирмы INTEL.

Рис. 7.4. Использование диспетчера памяти

Запоминающие устройства

Память может быть внутренней и внешней. Внешней называют память на магнитных, оптических дисках, лентах и т.п. Внутренняя память выполняется, чаще всего, на микросхемах. Внутренняя или основная память может быть двух типов: оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) или ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ) и постоянное ЗУ (ПЗУ). ОЗУ, кроме того, обозначается - (RAM, Random Access Memory), а ПЗУ - (ROM, Read Only Memory). Получила также распространение Флэш(Flash) память, имеющая особенности и ОЗУ и ПЗУ и энергонезависимая память (Nonvolatile - NV) на батарейках. Последнее название условно, так как ПЗУ и Флэш память, также энергонезависимы. В ОЗУ коды в соответствии с решаемыми задачами постоянно изменяются и полностью пропадают при выключении питания. В ПЗУ хранятся управляющие работой ЭВМ стандартные программы, константы, таблицы символов и другая информация, которая сохраняется и при выключении компъютера. ОЗУ подразделяются на статическую память (SRAM), динамическую (DRAM), регистровую (RG). ПЗУ могут быть: масочными - запрограммированными на заводе изготовителе (ROM), однократно-программируемыми пользователем ППЗУ (PROM или OTP), многократно-программируемыми (репрограммируемыми) пользователем РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM) или c электрическим стиранием (EEPROM). Широкое распространение нашли также программируемые логические матрицы и устройства (PLM, PML, PLA, PAL, PLD, FPGA и т.д.) с большим выбором логических элементов и устройств на одном кристалле.
В зависимости от типа ЗУ элементом памяти (ЭП) может быть: триггер, миниатюрный конденсатор, транзистор с "плавающим затвором", плавкая перемычка (или ее отсутствие). Упорядоченный набор ЭП образует ячейку памяти (ЯП) . Количество элементов памяти в ячейке (длина слова) обычно кратно 2n (1,4,8,16, 32,64..), причем величины свыше 8-ми достигаются, обычно, группировкой микросхем с меньшим количеством ЭП. Количество ЭП в ЯП иногда называется длиной слова. Основными характеристиками микрсхем памяти являются: информационная емкость, быстродействие и энергопотребление. Емкость ЗУ чаще всего выражается в единицах кратных числу 210 = 1024 = 1K. Для длины слова равной биту (одному двоичному разряду) или байту (набору из восьми бит) эта единица называется килобит или килобайт и обозначается Kb или KB.

Рис. 7.5

Каждой из двух в степени "n" ячеек памяти однозначно соответствует "n"- разрядное двоичное число, называемое адресом ЯП. Например, адресом 511-ой ячейки будет число 1 1111 1111(BIN) = 511(DEC) = 1FF(HEX). В программах адреса употребляются в 16-ном формате. Емкость ЗУ часто выражается произведением двух чисел 2n * m, где 2n - число ячеек памяти, а m - длина слова ячейки, например 8K * 8 (м/с 537РУ17), т.е. 8192 ячейки размером в один байт. В некоторых справочниках для этой же микросхемы приводится обозначение емкости одной цифрой 64Kбит, что никак не отражает внутреннюю организацию этой микросхемы, такую же емкость могут иметь м/с с организацией 16K * 4, 64K * 1 и т.д.

ОЗУ статического типа (SRAM)

В качестве элемента памяти используется простейший D-триггер-защелка. В микросхеме 537РУ10 каждая ЯП состоит из восьми триггеров и располагаются ячейки на кристалле в виде прямоугольной матрицы.
На рисунке приведены обозначения: n-адресных входов (A0 .. An-1), DIO - двунаправленная восмиразрядная шина данных, вход разрешения выходов - ~OE, вход выбора микросхемы - ~CS и вход разрешения записи - ~WE, который часто обозначают по другому - ~WR/RD, подчеркивая этим, что при низком значении сигнала на этом входе производится запись байта, а при высоком уровне - чтение. EO, DI, WR - внутренние сигналы вырабатываемые блоком управления чтением/записью/хранением. Доступ к произвольной ЯПj  производится с помощью прямоугольного дешифратора, состоящего из двух обычных дешифраторов, причем k-адресных линий заводится на дешифратор столбцов (DCc), а оставшиеся n-k линий подключены к дешифратору строк (DCr). Количество строк и столбцов будет соответственно равно 2(n-k) и 2k, т.е. общее количество, обслуживаемых ЯП , равно 2k * 2(n-k) = 2n.

Рис. 7.6

На рисунке внизу показан фрагмент внутренней структуры микросхемы, по которому можно проследить основные режимы ее работы. Здесь же дано условное обозначение микросхемы.

Рис. 7.7

На рисунке схемы с открытым коллектором и третьим состоянием обозначены ОК и Z - соответственно. Точками выделен один (j-ый) из восьми элементов i-ой ячейки памяти. Схема И с номером i = (r * 2k + c) является одним из 2n выходных узлов прямоугольного дешифратора, где r и c - номера строк и столбцов матрицы. Инверсный вход (C)hip (S)elect - ~CS, во всех микросхемах, где он встречается, служит для приведения схемы в рабочее состояние низким уровнем сигнала на этом входе. Если ~CS = 1 (пассивный уровень), микросхема - не выбрана и операции с ней производить невозможно. Из рис. видно, что в этом случае на L-входе D-триггера - ноль, запись невозможна и триггер хранит ранее записанный бит. Прочитать выходной код - Q тоже нельзя, т.к. на прямом входе EO разрешения выхода запрещающий нулевой сигнал и вход/выход DIOi находится в третьем состоянии. С поступлением ~CS = 0, схемы ИЛИ-НЕ разблокируются и дальше все зависит от значений сигналов ~WE и ~OE. В режиме записи сигнал ~WE = 0. Поэтому независимо от значения сигнала ~OE на входе схемы, внутренний сигнал EO, тоже равен 0, и чтение данных во время записи невозможно. На верхнем входе элемента Иi - единица и, если на адресных входах код An-1,An-2,...,A1,A0(BIN) = i(DEC), то сигналы на линиях Yr и Yc тоже равны 1 и триггер ij прозрачен для записи входной информации DIOj. В режиме чтения ~WE=1, ~OE=0 и при Yr=Yc=1, выходной сигнал ~Q после инверсии элементом Иij с открытым коллектором проходит на выход DIOi. Следует обратить внимание на то, что выходы всех 2n j-ых элементов памяти должны подключаться к общему j-му выводу микросхемы - DIOj. Такое объединение выходов возможно с помощью схемного либо монтажного И(ИЛИ). Монтажное И(ИЛИ) не требует дополнительных схем и может выполняться на элементах с открытым коллектором илис третьим состоянием. Внутри рассматриваемой схемы j-е выходы ЭП объединены на общем резисторе Rj, служащем нагрузкой элементов И-НЕij с открытым коллектором.
Для увеличения информационной емкости,отдельные микросхемы группируются в банки и их одноименные выходы должны объединяться. По этой причине выходы всех микросхем памяти выполняются с открытым коллектором либо с третьим состоянием.
В ЭВМ статическое ОЗУ используется в быстродействующей Cash-памяти.
Статическая память может быть синхронной и асинхронной. В асинхронной памяти выдача и прием информации определяется подачей комбинационных сигналов. В синхронной памяти выдача и прием информации тактируется.

Рис. 7.8 Циклы чтения и записи статической ОЗУ

ОЗУ динамического типа (DRAM)

В качестве элемента памяти используется микроконденсатор в интегральном исполнении, размеры которого значительно меньше D-триггера статической памяти. По этой причине, при одинаковых размерах кристалла, информационная емкость DRAM выше, чем у SRAM. Количество адресных входов и габариты должны увеличиться.Чтобы не допустить этого, адресные линии внутри микросхемы разбиваются на две группы, например старшая и младшая половина. Две одноименные k-линии каждой группы подключаются к двум выходам внутреннего k-го демультиплексора "1 в 2", а его вход соединяется с k-ым адресным входом микросхемы. Количество адресных входов, при этом уменьшается в два раза, но зато передача адреса в микросхему должна производиться, во-первых в два приема, что несколько уменьшает быстродействие, и во-вторых потребуется дополнительный внешний мультиплексор адреса.В процессе хранения бита конденсатор разряжается. Чтобы этого не допустить заряд необходимо поддерживать.
Суммируя, можно перечислить чем отличается динамическое ОЗУ от статического: 1) мультиплексированием адресных входов, 2) необходимостью регенерации хранимой информации, 3) повышенной емкостью (до нескольких Мбит), 4) более сложной схемой управления. На рисунке внизу  приведено условное обозначение м/с 565РУ7 емкостью 256K*1 (218K) и способ подключения 18-ти линий адреса к девяти адресным входам с помощью 9-ти мультиплексоров "2 в 1", например трех счетверенных селекторов-мультиплексоров типа 1533КП16.

Рис. 7.9

Элементы памяти расположены на кристалле в виде матрицы 512 * 512 = 29 * 29, управляемой двумя линейными дешифратороми строк и столбцов, каждый с 9-ю адресными входами. Если сигнал строка/столбец ~R/C на входе выбора S мультиплексора, равен нулю то A(0..8) = Y(0..8) и в микросхему передается адрес строки. Этот адрес фиксируется отрицательным фронтом строба адреса строк  ~RAS. При ~R/C = 1 на выходы мультиплексора передается адрес столбцов A(9..17), который защелкивается отрицательным перепадом строба адреса столбцов ~CAS. Вход ~WE управляет записью/ чтением. Оперативная память персональных ЭВМ - (SIMM, EDO, SDRAM..) является динамической памятью. Время обращения к ней меньше 10нс, а емкость достигает 256M в одном корпусе.
Динамическая память может быть синхронной и асинхронной. В асинхронной памяти выдача и прием информации определяется подачей комбинационных сигналов. В синхронной памяти выдача и прием информации тактируется.
Все временные сигналы определены относительно сигнала CLK.

Рис. 7.10

Все DRAM имеют несколько режимов работы – чтения/записи, страничный режим чтения/записи, режим регенерации.

Рис. 7.11 Режим чтения/записи

Рис. 7.12 Режим чтения/записи в страничном режиме

генерация динамической памяти

Запоминающая ячейка динамического типа хранит информацию в виде заряда емкости. Ток утечки обратно смещенного p-n перехода составляет не более 10-10 A (0,1 нA), а емкость - 0,1..0,2 пФ, следовательно постоянная времени разряда - более 1 мС. Поэтому через каждые 1..2 мС требуется производить подзаряд емкостей запоминающих элементов - регенерацию динамической памяти.

Рис. 7.13. Управление регенерацией динамической памяти

В динамических ОЗУ чаще используется т.н. "строчная регенерация", при которой в одном цикле регенерируются все элементы, расположенные в одной строке прямоугольной матрицы накопителя. Следует отметить, что любое обращение к запоминающей ячейке (запись или чтение) осуществляет ее регенерацию и одновременно регенерирует все ячейки, расположенные в той же строке накопителя.
Однако, при работе ОЗУ в составе МПС в общем случае нельзя дать гарантию, что в течение 2мС произойдет обращение ко всем строкам накопителя, т.к. поток адресов является случайным. Для обеспечения гарантированной сохранности информации в динамическом ОЗУ при работе МПС вводятся специальные циклы регенерации - обращения к ОЗУ по последовательным адресам строк.
В большинство динамических ОЗУ адрес ячейки подается за два приема : сначала - адрес строки, который запоминается во внутреннем регистре ОЗУ, потом по тем же линиям - адрес столбца. Каждая передаваемая по мультиплексированным линиям часть адреса сопровождается соответствующим управляющим сигналом (RAS, CAS).
Для регенерации накопителя достаточно провести обращение только к последовательным строкам - каждый цикл обращения для регенерации может состоять только из передачи адреса строки. Поэтому для полной регенерации накопителя объемом 16K (матрица 128 ? 128) достаточно 128 тактов. Накопители большего объема реализуют на неквадратных матрицах, чтобы уменьшить число строк и сократить время регенерации. Так, накопитель объемом 64K имеет матрицу 128 ? 512.
Различают несколько способов организации регенерации динамических ОЗУ в МПС.

Регенерация "по таймеру"

В состав МПС включается таймер регенерации, который каждые 2 мС формирует сигнал, блокирующий обращение МП к памяти и запускающий процедуру регенерации. Схема управления регенерацией включает в себя счетчик адреса регенерации, триггер регенерации и мультиплексор адреса.

Недостатком такого способа регенерации является значительная потеря времени на регенерацию - до нескольких процентов времени работы МПС, причем это время может возрастать с ростом объема памяти МПС. Таким образом, использование метода регенерации по таймеру снижает производительность МПС, т.к. при выполнении регенерации МП пребывает в состоянии ожидания.

"Прозрачная" регенерация

Главным достоинством метода прозрачной регенерации является отсутствие простоев МП при регенерации ОЗУ, поскольку для регенерации выбираются такие моменты времени, когда МП не занимает системную шину. Однажды начав регенерацию, совсем не обязательно проводить ее полностью. Циклы регенерации могут чередоваться с процессорными циклами, главное, чтобы процесс регенерации накопителя завершился за время, не превышающее 2 мС. Многие МП формируют специальные сигналы, отмечающие занятость шины. Эти сигналы можно использовать для управления триггером регенерации. Если МП (например, i8080) не формирует сигнала занятости магистрали, то такой сигнал можно сформировать специальной внешней схемой.
Так, в машинном цикле МП i8080 могут появляться такты T4, T5, в которых МП не занимает системную шину. Эти моменты времени можно выделять специальной схемой и использовать для регенерации.
Микропроцессор Z80 имеет встроенный счетчик регенерации и обеспечивает этот процесс самостоятельно параллельно с внутренней обработкой информации на кристалле. В большинстве МП не предусмотрены средства обеспечения регенерации, т.к. в МПС может и отсутствовать динамическая память. Однако, в составе микропроцессорных комплектов выпускаются специальные БИС контроллеров регенерации. В качестве примера кратко рассмотрим структуру и функционирование БИС К1818ВТ03 - "Контроллер динамической памяти". На
Рис. 7.14 показана структура БИС 565РУ5 (64К?1), а на Рис. 7.15 - временная диаграмма ее работы.

Рис. 7.14. Структура БИС динамического ОЗУ

БИС динамических ЗУ имеют объемы от 16К?1 (565РУ3) до 1М?1 (..РУ9), но имеют одинаковую структуру и линии управления (за исключением числа адресных).
Рис. 7.15. Временная диаграмма работы БИС динамического ОЗУ

Из Рис.7.14 и Рис.7.15 видно, что адрес ячейки подается в ОЗУ последовательно двумя порциями по одним и тем же линиям в сопровождении управляющих сигналов RAS\ (строб адреса строки) и CAS\ (строб адреса столбца). Поэтому адрес на системной шине, формируемый МП, должен мультиплексироваться, одновременно вырабатываться управляющие сигналы RAS и CAS.
Кристалл ОЗУ бывает выбран только при условии RAS = CAS = 0, что позволяет осуществлять селекцию блоков по двум координатам.

Контроллер динамической памяти

(КДП) обеспечивает мультиплексирование адреса системной шины, выработку управляющих сигналов CAS и RAS[3:0] (для селекции модулей ОЗУ), а также внутреннюю (по таймеру) или внешнюю (прозрачную) регенерацию.
Структурная схема контроллера (Рис. 7.) включает в себя :

КДП обеспечивает преобразование сигналов системной шины МПС в сигналы управления динамическим ОЗУ (см. Рис. 7.16), причем может работать в двух режимах : "16/64" (на память 16K или 64K соответственно). В режиме "16" две старшие линии адреса используются для формирования одного из сигналов RAS\[0..3], в режиме "64" КДП может управлять двумя банками по 64K, причем сигнал RAS появляется на одном из выходов RAS0 или RAS1 - в зависимости от состояния линии RAS3\/B0, которая в режиме "64" становится входом, определяющим номер банка ОЗУ.
Регенерация может осуществляться в двух режимах - внутреннем и внешнем. Если вход REFR остается неактивным 10..16 мкС, то формируется запрос на цикл регенерации от внутреннего таймера, причем в случае конфликта арбитр отдает предпочтение циклу памяти. Таким образом, и при регенерации по таймеру используются свободные такты шины. При внешней регенерации запрос должен быть сформирован на входе REFR.
Сигнал PCS - "Защищенный выбор кристалла" отличается от традиционного CS тем, что если PCS сформирован, то цикл ЗУ аннулировать нельзя.
RD, WR - запросы на циклы чтения и записи соответственно.
X0, X1 - выводы для подключения кварцевого резонатора при работе с внутренним генератором. При работе с внешним генератором на вход X0 подается высокий потенциал, а на X1 - частота CLK внешнего генератора.
Выходной сигнал SACK\ вырабатывается КДП в начале цикла обращения к памяти. Если запрос от МП приходится на цикл регенерации, то SACK\ задерживается до начала цикла чтения/записи.
Выходной сигнал XACK\ ("Готовность данных") вырабатывается в конце цикла чтения/записи.
Сигналы SACK\ и XACK\ можно использовать для управления потенциалом на входе READY микропроцессора.

Рис. 7.16. Контроллер динамического ОЗУ

Регенерация "размещение данных"

В некоторых, достаточно редких частных случаях, можно воспользоваться способом регенерации "размещением данных". Так, если, например, память изображения дисплея является составной частью единого ОЗУ МПС и МП регулярно обращается в эту область для поддержания изображения на экране, то достаточно расположить область ОЗУ дисплея в памяти МПС таким образом, чтобы она "перекрывала" все строки накопителя (достигается соответствующим подбором адресов), чтобы каждое обращение к области ОЗУ дисплея, помимо регенерации изображения, регенерировала и всю память МПС.

            SDRAM и DDR SDRAM

Самой распространенной памятью на сегодняшний день для IBM PC являются два вида памяти
SDRAM                     synchronic dynamic random access memory 
DDR SDRAM           double data rate synchronic dynamic random access memory

Рис. 7.17. Временные диаграммы работы SDRAM и DDR SDRAM

CL(CAS latency) – количество тактов до первого DOUT

Репрограммируемое ПЗУ (EPROM,EEPROM)

Микросхемы РПЗУ допускают многократное, до сотен тысяч, циклов перепрограммирования на рабочем месте пользователя. Это свойство обеспечивается применением ЭП на МОП транзисторах с "плавающим затвором". Толщина изоляции "плавающего затвора" порядка 200 ангстрем. Информация считается стертой, если на выходах всех ЭП высокий уровень сигнала. В режиме программирования, на выбранный по адресной шине ЭП, куда необходимо записать ноль, подается импульс. Стирание осуществляется УФ-излучением (EPROM), либо электрически (EEPROM). При этом все ячейки переводятся в состояние "1". Записанная информация сохраняется в течение нескольких лет. Одной из м/с этого типа является EPROM 573РФ2 с организацией (2К * 8) и тристабильными выходами.
В Flash-памяти толщина изоляции "плавающего затвора" менее 100 ангстрем, поэтому при перепрограммировании используется туннельный эффект.

Однократно программируемое ПЗУ (OTP,PROM)

ППЗУ в качестве элементов памяти имеют набор плавких перемычек, которые в процессе программирования пережигаются импульсами тока. На рис.7.18 приведена схема ППЗУ.

Рис. 7.18

Для любого значения адресных сигналов найдется единственный выход дешифратора "i" на котором сигнал Yi = 1, на остальных выходах будут нули. Потенциал базы j-транзистора будет зависеть в этом случае только от наличия или отсутствия перемычки fi. Если перемычка есть (fi=1), то на базе высокий уровень сигнала, транзистор открыт и выходной сигнал DOj = 0. Если перемычки нет (fi=0),то DOj=1.Пережиганием перемычек в соответствующих j-битах всех адресов, в микросхему записывается программа и/или данные.

Энергонезаваисимая память (NVRAM,Flash)

Всякая память сохраняющая данные при отключении внешнего источника питания может считаться энергонезависимой - NonVolatile Memory, однако этот термин больше утвердился за статической оперативной памятью:

Увеличение разрядности ячейки памяти

Если требуется хранить данные размером в n-бит, а длина слова ячейки памяти  m-бит (n>m), то прибегают к наращиванию длины слова . Делается это путем объединения n / m - микросхем в группы, причем все одноименные входы, кроме информационных, соединяются между собой. Например, если требуется динамическая память емкостью 256K с длиной слова равной байту, то необходимо объединить 8 / 1 = 8 микросхем типа 565РУ7, как это показано на рис.7.19

Рис.7.19

На рисунке девять линий адреса показаны в видешины - т.е. группы проводников, объединенных по функциональному признаку.

Увеличение количества ячеек памяти

Увеличение адресного пространства ЗУ в 2k раз требует столько же микросхем памяти и "k" дополнительных линий адреса, к уже имеющимся "n"линиям  An+k-1, . .An+0, An-1, An-2, ... A1, A0. Дополнительные адресные линии An+k-1 .. An+0 должны разбивать требуемое адрес- ное поле на 2k неперекрывающихся интервалов, покрываемых объемом памяти каждой отдельной микросхемы. Для решения этой задачи требуется дополнительный дешифратор "k в 2k". Например, если нужен блок ПЗУ емкостью 2K*4, то потребуется 8 микросхем 256*4 типа 541РТ1 и один дешифратор "3 в 8", как показано на рис. 7.20

рис. 7.20

Одноименные j- е выходы микросхем с открытым коллектором соединены с общим нагрузочным резистором Rj. Три старших дополнительных бита адреса A10,A9,A8 выбирают одну из восьми микросхем, а восемь младших бит адреса выводят содержимое одной из 256-ти ячеек памяти на шину данных (ШД).Пусть на шину адреса (ША) поступил код A10..A0 = 11000011010 = 61A. На всех выходах дешифратора, кроме шестого (A10..A8 = 110 =6) будет высокий уровень. Нулевой сигнал ~Y6 = 0 на входе ~OE1 шестой микросхемы разрешит прохождение записанной информации на выходы, а код 1 1010 = 1A(HEX) = 26(DEC) на адресных входах A7..A0 извлечет содержимое 26-ой ЯП и поместит его на четыре линии шины данных (ШД).
Особенностью метода является необходимость объединения по ИЛИ(И) одноименных выходов микросхем. Это можно выполнить или подключением одноименных выходов к 2n- входовым схемам ИЛИ(И) для каждого разряда, или выполнять выходные структуры микросхем памяти по схеме допускающей монтажное ИЛИ(И) с открытым коллектором или с третьим состоянием, что целесообразней. По этой причине все микроросхемы памяти выпускаются с такими выходами.